LDMOS晶体管

摘要

一种LDMOS晶体管(10)，在该LDMOS晶体管(10)的掺杂区域的中心插入有肖特基二极管(28，16)。典型的LDMOS晶体管在中心具有漂移区(16)。在此情况下，将肖特基二极管(28，16)插入在该漂移区(16)的中心，这提供了以正向方向从源区(22)连接到漏区(24)的肖特基二极管(28，16)，使得将漏电压钳位到低于PN结阈值的电压，从而避免将该PN结(16，12)正向偏置。一种替换方式是将肖特基二极管(60，44)插入在其中形成了源区(54)的阱中，其在该LDMOS晶体管(40)的周围。在这样的情况下，肖特基二极管(60，44)不同地形成，但仍然从源区(54)以正向方向连接到漏区(56)，以实现期望的漏区(56)上电压钳位。

主权项

1. 一种器件结构，包括：衬底，其具有半导体区域；LDMOS晶体管结构，其在该半导体区域中，具有连续的掺杂区域以执行基于晶体管的功能，该连续的掺杂区域具有第一掺杂区域，该第一掺杂区域的特征在于比该连续的掺杂区域更重掺杂且在深度上比该连续的掺杂区域更浅，并具有与该连续的掺杂区域相同的导电类型，其中该连续的掺杂区域作为漏区；以及肖特基二极管，其被该连续的掺杂区域所围绕。