| 发明名称 | 改善低k电介质对导电材料粘附性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN100481379C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200580017862.4 | 申请日期 | 2005.04.19 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 纳格哈彦·哈加高帕兰;梅彦·水克;艾伯特·李;安纳马莱·拉克师马纳;夏立群;崔振江 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)N;C23C16/42(2006.01)N;H01L23/532(2006.01)N | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 1. 一种处理衬底的方法，包括：将所述衬底置于处理室中，其中所述衬底包括在其上形成的一个或多个图案化的低k电介质层和导电材料；将硅基化合物和含氮还原化合物同时引入所述处理室；形成所述导电材料的硝基硅化物层；引发所述硅基化合物和所述含氮还原化合物的等离子体；沉积硅氮化物层；并且在不破坏真空条件下，在所述硅氮化物层上沉积硅碳化物层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||