制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，该方法包括在双重镶嵌工艺期间防止在一系列孔的周围形成反应副产物的栅栏，所以防止了后续金属间隙填充的缺陷，使防止器件故障成为可能。该方法可以包括：在层间绝缘层中形成暴露底部增透涂层的通道孔，用第一材料填充该通道孔，去除部分第一材料，在第一材料上和/或上方形成氧化膜以再填充通道孔，通过蚀刻层间绝缘层和氧化膜来形成沟槽，通过去除通道孔中的第一材料至底部增透涂层来敞开通道孔，蚀刻底部增透涂层以暴露金属导线，以及然后用金属填充敞开的通道孔和沟槽。

主权项

1. 一种方法，包括：在衬底上方形成下部金属导线；在所述下部导线上方形成第一底部增透涂层；在所述第一底部增透涂层上方形成第一氧化层；在所述第一氧化层上方形成第一光刻胶图样；通过使用所述第一光刻胶图样作为掩模在所述第一氧化层上实施第一蚀刻工艺来形成暴露所述第一底部增透涂层的通道孔，并且然后去除所述第一光刻胶图样；用光刻胶和第二底部增透涂层中的一个来填充所述通道孔；去除光刻胶和所述第二底部增透涂层中的所述一个的一部分；通过在光刻胶和所述第二底部增透涂层中的所述一个的上方形成具有空隙的第二氧化层来再填充所述通道孔；在所述第二氧化层上方形成第二光刻胶图样；通过使用所述第二光刻胶图样作为蚀刻掩模在所述第一氧化层和所述第二氧化层上实施第二蚀刻工艺来形成暴露所述光刻胶和所述第二底部增透涂层中的所述一个的沟槽，并且然后去除所述第二光刻胶图样；从所述通道孔中去除光刻胶和所述第二底部增透涂层中的所述一个；通过在所述第一底部增透涂层上实施第三蚀刻工艺来暴露所述下部金属导线；以及然后在所述通道孔和所述沟槽中形成金属层。