一种闪存的抹除方法

摘要

一种闪存的抹除方法，其步骤如下：首先在存储单元的栅极上施加偏压V_g，并于源/漏极上施加偏压V_d以进行抹除操作，此偏压V_d由一起始值开始随时间递增至一默认值，其间皆不进行检查步骤。接着检查各存储单元是否都已被抹除，如是则结束抹除步骤，如否则再进行至少一次的升压抹除-检查步骤，直至确定所有存储单元皆被抹除为止，其中每次升压抹除-检查步骤皆包含一个升高偏压V_d的抹除步骤与其后的一个检查步骤。

主权项

1. 一种闪存的抹除方法，该闪存中包含复数个存储单元，该方法包括：进行第一段抹除，其是在这些存储单元的复数个栅极上施加偏压Vg，并在这些存储单元的复数个源/漏极上施加偏压Vd，以进行存储单元抹除，然后检查这些存储单元是否已完全被抹除，如是则结束该抹除步骤，如否则进行第二段抹除，其包含至少一次的升压抹除-检查步骤，直至确定这些存储单元都被抹除为止，其特征是：在偏压Vd由一个起始值开始递增至一个默认值之间，不进行检查步骤，其中偏压Vd有一分布曲线，该分布曲线在其顶点之后具有一个斜率绝对值最大的陡降段，且该默认值的设定落在该陡降段上；在进行第二段抹除时，第i次升压抹除-检查步骤包含持续T(i)时间的一个升压抹除步骤与其后的一个检查步骤，其中第1次升压抹除步骤的偏压Vd高于该默认值，且当i>1时，第i次升压抹除步骤的偏压Vd高于第i-1次升压抹除步骤的偏压Vd。