Zr:LiNbO₃晶体的制备方法

摘要

Zr:LiNbO₃晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低，而提供的一种Zr:LiNbO₃晶体的制备方法。Zr:LiNbO₃晶体由纯度都为99.99％的ZrO₂、Nb₂O₅和LiCO₃制成；其中ZrO₂的掺杂量为ZrO₂、Nb₂O₅和LiCO₃总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：(一)称取并混合ZrO₂、Nb₂O₅和LiCO₃；(二)提拉法进行晶体生长；(三)极化；(四)晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO₃晶体。本发明Zr:LiNbO₃晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生；在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol％Mg:LiNbO₃，6.5％Zn:LiNbO₃和4mol％Hf:LiNbO₃分别提高了85％、100％和112％以上。本发明Zr:LiNbO₃晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。

主权项

1、Zr：LiNbO3晶体的制备方法，其特征在于Zr：LiNbO3晶体按以下步骤制备：(一)称取并混合纯度都为99.99％的ZrO2、Nb2O5和LiCO3，ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946；(二)采用提拉法进行晶体生长：控制提拉速度为0.8～2mm/h，轴向温度梯度为40～50℃/cm，旋转速度为15～25r/min；(三)极化：将生长出的晶体置于温度为1160～1200℃，电流密度为5mA/cm2的条件下极化30±2min；(四)晶体切割后对其表面进行光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO3晶体。