发明名称 存储装置及半导体装置
摘要 一种存储装置,包括存储器件,所述存储器件每个都具有存储元件,所述存储元件具有如下特性:不低于第一阈值信号的电信号的施加,允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状,以及不低于第二阈值信号的电信号的施加,允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态,所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性;所述存储器件每个都具有电路元件,与存储元件串联以作为负载,其中,存储器件以矩阵排列,且每个存储器件的端子之一与公共线连接;并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。
申请公布号 CN100481254C 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200510107643.7 申请日期 2005.09.29
申请人 索尼株式会社 发明人 八野英生;冈崎信道;大塚涉;对马朋人;相良敦;中岛智惠子;森宽伸;长尾一
分类号 G11C11/34(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I 主分类号 G11C11/34(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1. 一种存储装置,包括:存储器件,每个均具有存储元件,所述存储元件具有如下特性:不低于第一阈值信号的电信号的施加允许存储元件从高电阻值状态转移到低电阻值状态;不低于第二阈值信号的电信号的施加允许存储元件从低电阻值状态转移到高电阻值状态,所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性;所述存储器件的每个还具有电路元件,与存储元件串联以作为负载;其中,所述存储器件以矩阵排列,且每个存储器件的一个端子与公共线连接;其中,在电源电势和接地电势之间的中间电势被施加到公共线;以及其中,所述中间电势被设置在这样的范围内:其中,向存储元件的不低于第一阈值信号的电信号的施加允许存储元件从高电阻值状态改变到低电阻值状态,以及其中,通过施加不低于第一阈值信号的电信号而达到低电阻值状态的存储元件能够从低电阻值状态转移到高电阻值状态。
地址 日本东京都