| 发明名称 | 具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有能捕获电荷的栅极电介质结构的易失性存储器的晶体管及其制造方法。该易失性存储器的单元区域中的晶体管包括：第一导电型基板；能捕获电荷并形成在所述基板上的栅极电介质结构；形成在所述栅极电介质结构上的栅极；形成在所述栅极上的栅极绝缘层；形成在所述栅极的每个侧面下的基板的预定区域中的第二导电型源极/漏极；形成在所述栅极下的基板的预定区域中的第一导电型沟道离子注入区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100481498C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410096815.0 | 申请日期 | 2004.12.01 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李相敦;金一旭;安进弘;朴荣俊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1. 一种晶体管，位于易失性存储器器件的单元区域中，该晶体管包括：第一导电型基板；形成在基板上的栅极电介质结构，所述栅极电介质结构包括能够捕获电荷的中间栅极电介质层，其中所述中间栅极电介质层被注入电荷从而控制所述晶体管的阈电压；形成在栅极电介质结构上的栅极；形成在栅极上的栅极绝缘层；形成在栅极的每一侧面下的基板的预定区域中的第二导电型源极/漏极；和形成在栅极下的基板的预定区域中的第一导电型沟道离子注入区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||