| 发明名称 | 半导体存储装置及便携式电子设备 | ||
| 摘要 | 半导体存储装置具有存储功能体(261，262)，存储功能体具有以下功能：将电荷保持在经由栅绝缘膜(214)而形成在半导体层(211)上的单一的栅电极(217)的两侧；存储功能体分别含有具有电荷存储区(250)的电荷保持膜(242)；电荷存储区(250)横跨沟道区(273)的一部分和配置在沟道区的两侧的扩散区(212，213)的一部分而存在；由于存储功能体独立于栅绝缘膜而形成在栅电极的两侧，因此可以进行2位的动作；进一步，由于各存储功能体由栅电极被分离，因此可有效地抑制改写时的干扰，并且可以使栅绝缘膜薄膜化，并抑制短沟道效果；因而存储元件易于实现微型化。 | ||
| 申请公布号 | CN100481516C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200380107812.6 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 岩田浩;柴田晃秀 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟 强;谢丽娜 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储装置，其特征在于，具有：半导体层(102，211，287，411)；经由栅绝缘膜(103，214，414)形成在该半导体层上的单一的栅电极(104，217，417)；配置在该栅电极下面的沟道区(120，121，273)；配置在该沟道区的两侧的扩散区(107a，107b，212，213，412)；和形成在该栅电极的两侧、并具有保持电荷的功能的存储功能体(105a，105b，131a，131b，261，262，461，462)，上述各存储功能体包括具有存储电荷功能的电荷保持膜和绝缘体，上述电荷保持膜包括第一部分，该第一部分具有和栅绝缘膜的表面平行的表面，上述绝缘体包括隔开上述电荷保持膜的第一部分和沟道区或半导体层的绝缘膜，隔开上述电荷保持膜的第一部分和沟道区或半导体层的绝缘膜的膜厚比栅绝缘膜的膜厚薄，且为0.8nm以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||