| 发明名称 | 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开可编程电阻随机存取存储器单元，其电阻根据其接触点的尺寸而定。低接触电阻的制造方法与集成电路也在本发明中进行了公开，其具有较小尺寸的接触点。 | ||
| 申请公布号 | CN100481389C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200710001811.3 | 申请日期 | 2007.01.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩 宏 |
| 主权项 | 1. 一种形成具有非易失性存储单元的集成电路的方法，包括：形成多个导电行，以沿着各行访问这些非易失性存储单元；形成介质层于这些导电行之上；形成层间接触点，其穿越该介质层而电连接这些导电行；在自对准工艺中，减少该层间接触点的截面部分；形成非易失性存储单元的可编程电阻元件，以与这些层间接触点形成电连接；以及形成导电列，以沿着各列访问这些非易失性存储单元，而与该可编程电阻元件电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||