| 发明名称 | 半导体装置和层叠型半导体装置以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供可靠性高的半导体装置和层叠型半导体装置以及它们的制造方法。半导体装置包括具有集成电路(12)且形成有贯通孔(21)的半导体基板(10)和、形成于贯通孔(21)内面的绝缘层(30)和、形成为经绝缘层(30)内侧贯通半导体基板(10)且在前端面(52)具有凹部(60)的导电部(50)。 | ||
| 申请公布号 | CN100481416C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410044678.6 | 申请日期 | 2004.05.19 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 山口浩司 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：具有集成电路且形成有贯通孔的半导体基板；形成于所述贯通孔内面的绝缘层；和形成为经所述绝缘层内侧贯通所述半导体基板，且前端面具有凹部的导电部，所述凹部具有比其开口宽的内部空间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||