发明名称 存储器及操作存储器的方法
摘要 单一的存储器阵列(10)具有隔离电路,用于使相同的位线的段(Seg1 BL0、Seg2 BL0)相互隔离。隔离电路(16)允许在擦除阵列的一个段(14)的存储器单元的同时,读取位于阵列的另一个段(12)中的存储器单元。在一个示例中,在读取或编程位于第二段(Seg2 BL0)上的存储器单元的过程中,隔离电路(16)使段电气耦合。当擦除单一的存储器阵列的一部分时,存储在相同阵列中的编程信息总是可存取的。当使用多个隔离电路产生多于两个阵列段时,出现了隔离位线段的尺寸的动态变化。
申请公布号 CN100481264C 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200580026474.2 申请日期 2005.06.24
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 詹姆士·M·斯比格特罗丝;乔治·L·埃斯皮纳;布鲁斯·L·莫顿
分类号 G11C16/04(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I 主分类号 G11C16/04(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;黄启行
主权项 1. 一种存储器,包括:位线,其包括第一段和第二段;第一存储器单元,其连接到第一段中的位线;第二存储器单元,其连接到第二段中的位线;和隔离电路,所述第一段经由所述隔离电路选择性地耦合到所述第二段,当擦除第二存储器单元并且读取第一存储器单元时,所述隔离电路将所述第一段与所述第二段进行去耦分离,当读取第二存储器单元时,所述隔离电路将所述第一段与所述第二段进行耦合。
地址 美国得克萨斯