发明名称 | 热处理系统、部件和方法 | ||
摘要 | 在集成电路的制造中热处理是重要的过程。随着集成电路发展成更小和更快,对可有效和均匀地加热这些电路而不损坏它们的较高精度的热处理系统存在日益增加的需要。因此,本发明人设计了其中包括的示例性热处理系统,该系统包括反射微波的密闭室、在密闭室内的内部的透微波的处理室、在处理室内的透微波的晶片载体、以及用于在外室内引入微波辐射的5.8千兆赫微波源。该系统可用于使用10%浓度的臭氧来有效地氧化一批垂直堆叠的硅晶片。 | ||
申请公布号 | CN101416276A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
申请号 | CN200680050966.X | 申请日期 | 2006.11.13 |
申请人 | DSG科技公司 | 发明人 | J·M·科瓦尔斯基;J·E·科瓦尔斯基 |
分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨 勇;郑建晖 |
主权项 | 1. 装置,包括:第一室;至少一个标称5. 8千兆赫的微波信号发生器,其被耦合以将微波能引入所述第一室中;以及晶片堆叠架,其被容纳在所述室中用于容纳多个硅晶片,所述架主要由实质上透微波的材料组成。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |