发明名称 一种等离子刻蚀残留物清洗液
摘要 本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液,其含有:氟化物、有机胺、溶剂和水。本发明的清洗液清洗能力强,可有效去除金属线(Metal)、通道(Via)和金属垫(Pad)晶圆上的等离子刻蚀残留物,而且对非金属材料(如SiO<sub>2</sub>、离子增强四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、硅和低介质材料等)和部分金属材料(如Ti、Al和Cu)等有较小的腐蚀速率,可适用于批量浸泡式、批量旋转喷雾式和单片旋转式的清洗方式,具有较大操作窗口,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
申请公布号 CN101412949A 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200710047266.1 申请日期 2007.10.19
申请人 安集微电子(上海)有限公司 发明人 刘兵;彭洪修;于昊
分类号 C11D7/32(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;C11D3/02(2006.01)N 主分类号 C11D7/32(2006.01)I
代理机构 上海翰鸿律师事务所 代理人 李佳铭
主权项 1. 一种等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于含有:氟化物、有机胺、溶剂和水。
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室