用于通过使漏极及源极区凹陷而在晶体管中紧邻沟道区提供应力源的技术

摘要

藉由使场效晶体管的漏极及源极区(114，214)凹陷(112D，212D)，可在凹处(112，212)中形成高应力层(118，218)，例如，接触蚀刻中止层，以便增进于场效应晶体管(100，200)的邻近沟道区(104，204)中的应变产生。此外，藉由减少或避免金属硅化物(217)之不当的松弛效应(relaxation effect)，可使应变半导体材料(203)位在紧邻沟道区(104，204)，从而也提供增进的应变产生效率。在一些态样中，可组合两种效果以得到甚至更有效率的应变引发机构。

主权项

1、一种半导体器件(150、250)，包括：第一导电性类型的第一晶体管(100、200)，该第一晶体管(100、200)包括：形成于第一沟道区(106、206)上方的第一栅极电极(105、205)；形成于该第一栅极电极(105、205)与该第一沟道区(106、206)之间的第一栅极绝缘层(104、204)；形成于邻近该第一沟道区(106、206)的第一漏极及源极区(114、214)，所述第一漏极及源极区(114、214)的顶面相对于该第一栅极绝缘层(104、204)的底面是呈凹陷的(112D、212D)；以及形成于所述第一漏极及源极区(114、214)上方的第一应力层(118、218)，该第一应力层(118、218)延伸进入由所述第一凹陷的漏极及源极区(114、214)所形成的凹处(112、212)中。