发明名称 |
一种在单晶硅片表面制备ZrO<sub>2</sub>复合薄膜的方法 |
摘要 |
一种在单晶硅片表面制备ZrO<sub>2</sub>复合薄膜的方法,先将单晶硅片浸泡在王水中加热5~6小时,取出用去离子水清洗、干燥;后浸于体积比为H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>∶H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>=70∶30的溶液中,于室温下处理1小时,清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液,静置6~8小时取出,冲洗后用氮气吹干,再置于质量浓度为30%~60%的硝酸溶液中,在50~80℃下反应2小时,把端巯基原位氧化成磺酸基;最后将单晶硅片浸入制备好的ZrO<sub>2</sub>悬浮液中,在20~60℃静置2~24小时,取出冲洗后用氮气吹干,得到表面沉积有ZrO<sub>2</sub>复合薄膜的单晶硅片。本发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1,具有十分明显的减摩作用。 |
申请公布号 |
CN101412636A |
申请公布日期 |
2009.04.22 |
申请号 |
CN200810200811.0 |
申请日期 |
2008.10.07 |
申请人 |
上海第二工业大学 |
发明人 |
安双利 |
分类号 |
C04B41/50(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海东创专利代理事务所 |
代理人 |
宁芝华 |
主权项 |
1、一种在单晶硅片表面制备ZrO2复合薄膜的方法,其特征在于按如下步骤进行:1)首先对单晶硅片进行预处理:A)先将单晶硅片浸泡在王水中加热5~6小时,在室温中自然冷却后取出,冲洗、干燥;B)然后将单晶硅片浸于体积比为H2SO4∶H2O2=70∶30(Pirahan)的溶液中,于室温下处理1小时,用去离子水超声清洗后放在防尘装置内,在烘箱中干燥;C)再将处理后的单晶硅片浸入巯基硅烷浓度为0.1~1.0mmol/L的苯溶液中,静置6~8小时取出;D)先冲洗,后用氮气吹干,置于质量浓度为30%~60%的硝酸溶液中,在50~80℃下反应2小时;E)取出用去离子水冲洗,得到表面附有磺酸基硅烷薄膜的单晶硅片;2)制备ZrO2分散液:F)将ZrO2在室温下按0.1~0.2mg/ml放入N,N-二甲基甲酰胺分散剂,40W超声波分散1~3小时,得到稳定的悬浮液;3)在单晶硅片表面制备ZrO2复合薄膜:将表面组装有磺酸基硅烷薄膜的单晶硅片浸入制备好的ZrO2悬浮液中,在20~60℃静置2~24小时,取出用大量去离子水冲洗,冲洗后用氮气吹干,这样就得到表面沉积有ZrO2复合薄膜的单晶硅片。 |
地址 |
201209上海市浦东新区金海路2360号 |