| 发明名称 | 简化的间距加倍工艺流程 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体装置(100)的方法包含对光致抗蚀剂材料层(111)进行图案化以形成多个心轴(124)。所述方法进一步包含通过原子层沉积(ALD)工艺在所述多个心轴(124)上沉积氧化物材料(126)。所述方法进一步包含从暴露的水平表面各向异性地蚀刻所述氧化物材料(126)。所述方法进一步包含选择性地蚀刻光致抗蚀剂材料(111)。 | ||
| 申请公布号 | CN101416278A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200780012525.5 | 申请日期 | 2007.05.14 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 阿尔达万·尼鲁曼德;周宝锁;拉马康斯·阿拉帕蒂 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体装置的方法，所述方法包含：对光致抗蚀剂材料层进行图案化以形成多个心轴；使用原子层沉积技术来将氧化物材料沉积在所述多个心轴上；从暴露的水平表面各向异性地蚀刻所述氧化物材料；以及相对于所述氧化物材料而选择性地蚀刻所述光致抗蚀剂材料，从而形成多个氧化物间隔物。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||