| 发明名称 | 用于形成钝化金属层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室(1)中提供衬底(50、302、403、510)；将所述衬底(50、302、403、510)暴露于包含铼-羰基前驱体的处理气体，以在化学气相沉积工艺中将铼金属层(304、408、508)沉积在所述衬底(50、302、403、510)上；在所述铼金属层(304、408、508)上形成钝化层(414、590)，从而抑制所述铼金属表面上含铼结粒(306)的氧致生长。 | ||
| 申请公布号 | CN100481334C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200580033351.1 | 申请日期 | 2005.09.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司 | 发明人 | 山崎英亮;中村和仁;河野有美子;格特·J·莱乌辛克;芬顿·R·麦克非;保罗·詹姆森 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李 剑 |
| 主权项 | 1. 一种形成集成电路的栅极叠层中的钝化金属层的方法，所述方法包括：在处理系统的处理室中提供半导体衬底，其中所述衬底包括形成在氧化物、氮化物或氧氮化物界面层上的高k电介质层；将所述衬底暴露于包含铼-羰基前驱体的处理气体，以在热化学气相沉积工艺中将铼金属层沉积在所述高k电介质层上；在所述铼金属层上形成含硅钝化层或含碳钝化层，其中所述钝化层能够有效地抑制所述铼金属层表面上含Re结粒的氧致生长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||