发明名称 微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试方法
摘要 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试方法,以金属层为基本层,设计对准误差的测试结构,该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体,一块为梯形,另一块为矩形,二者平行;与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条,其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边,另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断,半导体层上面的绝缘层上分别对应于金属条的部位,相应开有条状引线孔,其尺寸小于相应部位的金属条,但与金属条一样必须覆盖梯形及矩形半导体的相同部位,两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻,当绝缘层图形与半导体导电层图形之间存在相对偏移时,测试R<sub>2</sub>变化,得到绝缘层与半导体导电层图形对准误差。
申请公布号 CN100480617C 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200710133888.6 申请日期 2007.10.12
申请人 东南大学 发明人 李伟华;钱晓霞
分类号 G01B7/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01B7/00(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 奚幼坚
主权项 1. 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试方法,器件含多层导电材料,包括硅衬底、绝缘层、半导体材料层以及位于最上层用于连接信号的金属材料层,各导电层之间设有绝缘层,采用逐次沉积和逐次套刻方法加工,其特征是:以金属层为基本层,设计对准误差的测试结构,该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体,一块为具有二个直角、一个钝角、一个锐角的梯形,另一块为矩形,二者平行;与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条,其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边,另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断,半导体层上面的绝缘层上分别对应于金属条的部位,相应开有条状引线孔,其尺寸小于相应部位的金属条,但与金属条一样必须覆盖梯形及矩形半导体的相同部位,整根金属条对应部位的条状引线孔和另一段覆盖梯形的钝角部位的条状引线孔以及它们之间的半导体导电层形成一个电阻R2,整根金属条对应部位的条状引线孔和另一段覆盖矩形矩形二长边的条状引线孔以及它们之间的半导体导电层形成另一个电阻R1,当绝缘层图形与半导体导电层图形之间存在相对偏移时,测试R2变化,得到绝缘层与半导体导电层图形对准误差。
地址 210096江苏省南京市四牌楼2号