| 发明名称 | 闪存浮栅制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存浮栅制造方法，通过借助光胶掩模，以各向同性干法刻蚀形成浮栅的碗形凹槽；然后所述碗形凹槽中沉积二氧化硅，并利用化学抛光的方法去除位于所述碗形凹槽外部的二氧化硅，从而形成浮栅；然后再借助干法刻蚀以自对准方式的将闪存单元以外的多晶硅去除，形成尖锐的浮栅周边，从而确保了该浮栅结构不会受闪存制造过程中其他操作的影响，进而提高了生产效率高，使得工艺易于对浮栅的尖端优化且波动较小。而且本发明所述方法保证了在闪存实施擦除动作时，可减少擦除失效，降低擦除电压，使闪存单元更为易于控制。 | ||
| 申请公布号 | CN101414555A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200710094146.7 | 申请日期 | 2007.10.16 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 贾晓宇;金勤海 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种闪存浮栅制造方法，其特征在于，包括：(1)在衬底(201)表面热氧化一层栅氧化层(202)，随后在所述栅氧化层(202)上沉积一层多晶硅(203)，然后涂上光刻胶(204)；(2)对所述多晶硅(203)进行光刻，然后借助光刻胶(204)掩模，以同向干法刻蚀在所述多晶硅(203)上形成浮栅的碗形凹槽；(3)对所述多晶硅(203)进行掺杂；(4)在掺杂后的多晶硅(203)上淀积一层二氧化硅(205)；(5)利用化学机械抛光去除位于所述碗形凹槽外部的二氧化硅(205)，形成浮栅；然后再利用自对准干法刻蚀，去掉未被所述二氧化硅(205)覆盖的多晶硅(203)。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||