发明名称 操作串联排列的非易失性存储单元的方法及装置(一)
摘要 读取一种具有一种电荷储存结构的存储单元,该读取是通过在存储单元的载电流节点之一与存储单元的衬底区域之间测量电流而进行的。当存储单元结构的其它部分储存不相关的数据时,读取操作减少不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合。通过该读取操作,存储单元的感测范围可以显著地改善。例式的排列为串联存储单元以及串联存储单元阵列。
申请公布号 CN100481460C 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200510113476.7 申请日期 2005.10.10
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 叶致锴
分类号 H01L27/105(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/105(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王 英
主权项 1、一种操作非易失性存储器阵列的方法,该非易失性存储器阵列利用电荷储存状态来储存数据,该非易失性存储器阵列包含排列成行的非易失性存储单元,每一个该非易失性存储单元在衬底区域中包含第一和第二载电流节点,并且包含电荷储存结构以及一个或多个介电结构,所述一个或多个介电结构至少一部份在所述电荷储存结构与栅极电压源之间,并且所述一个或多个介电结构至少一部份在所述衬底区域与所述电荷储存结构之间,该方法包括:执行一个或多个存储器操作,在位线上施加位线偏压,包括:使该位线偏压与一行非易失性存储单元的一个第一端电连接,该行为串联排列,使该行中相邻的存储单元的相邻的所述第一和所述第二载电流节点电连接;以及使该位线偏压与该行非易失性存储单元的一个第二端电连接。
地址 中国台湾新竹科学工业园区