具有自对准栅导电层的非易失性半导体存储器及其制造方法

摘要

公开了一种具有自对准栅导电层的半导体器件及其制造方法。在本发明的某些实施例中，在半导体衬底上形成多个场隔离图形，以在半导体衬底中限定多个有源区。然后通过例如热退火工艺增加场隔离图形的密度。然后在各个有源区上形成多个栅绝缘图形。然后在各个栅绝缘图形上形成多个第一导电图形。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成沟槽掩模图形，沟槽掩模图形的每一个形成为具有连续层叠的焊盘氧化物图形和氮化硅图形；在沟槽掩模图形之间的半导体衬底处形成限定有源区的沟槽；在沟槽和沟槽掩模图形之间的间隔中形成场隔离图形；除去氮化硅图形以暴露焊盘氧化物图形；在500摄氏度至900摄氏度的范围中的一种或多种温度下热退火具有暴露的焊盘氧化物图形的衬底，以增加场隔离图形的密度；除去焊盘氧化物图形，以暴露有源区；在多个有源区的每一个上形成多个栅绝缘图形；以及在多个栅绝缘图形的每一个上形成多个第一导电图形。