发明名称 |
固态成像装置、相机及制造固态成像装置的方法 |
摘要 |
本发明提供一种能够抑制由工艺中的金属污染所引起的晶体缺陷并能够抑制暗电流从而提高量子效率的背照明固态成像装置、含有其的相机及其制造方法,该方法具有如下步骤:形成包括衬底、第一导电类型外延层和第一导电类型杂质层的结构,第一导电类型外延层形成在衬底上并具有第一杂质浓度,而第一导电类型杂质层形成在边界区中并具有比外延层的第一杂质浓度高的第二杂质浓度;在外延层中形成存储由光电转换所产生的电荷的第二导电类型区;在外延层上形成互连层;以及除去衬底。 |
申请公布号 |
CN100481474C |
申请公布日期 |
2009.04.22 |
申请号 |
CN200510081390.0 |
申请日期 |
2005.06.30 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
神户秀夫 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1. 一种制造固态成像装置的方法,包括步骤:形成包括衬底、第一导电类型外延层和第一导电类型杂质层的结构,所述第一导电类型外延层形成在包括吸集层的衬底上以具有第一杂质浓度,并且所述第一导电类型杂质层形成在边界区中以具有比所述外延层的所述第一杂质浓度高的第二杂质浓度,所述边界区包括所述衬底与所述外延层的边界、面对所述边界的一部分所述衬底以及面对所述边界的一部分所述外延层;在所述外延层中形成存储由光电转换所产生的电荷的第二导电类型区;在所述外延层上形成互连层;以及除去所述衬底。 |
地址 |
日本东京都 |