| 发明名称 | 制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其步骤包括：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；通过对该基片的热处理而使非晶硅层晶化成多晶硅层。由于通过控制氮化物膜盖层的折射率到1.78至1.90从而获得大晶粒尺寸的半导体层来使电子迁移率增加并且残余金属催化剂的数量减少，从而降低漏电流，所以这种晶体管具有优良的特性，并能够通过利用盖层的折射率控制多晶硅层的晶粒尺寸来获得具有所希望的晶粒尺寸和均匀性的多晶硅层从而控制其特性。 | ||
| 申请公布号 | CN100481350C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410103351.1 | 申请日期 | 2004.12.31 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 李相雄;吴栽荣;梁泰勋;徐晋旭;李基龙;刘喆浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1. 一种制造薄膜晶体管的方法，包括步骤：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；及通过对该基片进行热处理使该非晶硅层晶化成多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||