基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法

摘要

本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。

主权项

1. 一种氮化镓化合物半导体多层结构，包括在衬底上配置的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层由第一部分和第二部分组成，所述第一部分的厚度大于等于平均了所述有源层的最大厚度和最小厚度的厚度，所述第二部分的厚度小于平均了所述有源层的最大厚度和最小厚度的厚度，其中，所述有源层的在所述衬底侧的下表面是平坦的且凹陷与凸起之间的高度差异小于等于1nm，通过不平坦的上表面的凸起和凹陷构成所述第一部分和所述第二部分。