| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构，即一种鳍式场效应晶体管，其包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该半导体鳍包括一中间区，其具有一第一宽度；以及一第一与一第二末端区，连接到该中间区的相对两端，其中该第一与第二末端区各包括至少一顶端部分，具有一第二宽度大于该第一宽度。该半导体结构还包括一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。本发明可扩大半导体鳍式场效应晶体管的源极与漏极区，以及在不需提供更多芯片区域的价格前提下，降低源极与漏极区的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101414632A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200810161098.3 | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;许育荣;叶震南;张正宏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1. 一种鳍式场效应晶体管，包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该鳍状半导体包括：一中间区，具有一第一宽度；以及一第一和一第二末端区，连接于该中间区的相对两端，其中该第一和该第二末端区各包括至少一顶端部份，其具有一第二宽度大于该第一宽度；一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||