| 发明名称 | 纳米鳍隧穿晶体管 | ||
| 摘要 | 本文揭示具有包围晶体管主体的栅极的垂直隧穿晶体管，其具有小于亚光刻尺寸的宽度尺寸。这些具有包围栅极的薄隧穿晶体管用于获得低亚阈值泄漏。各种实施例通过从形成于衬底上的非晶结构生长晶体纳米鳍、通过蚀刻晶体衬底以从所述晶体衬底界定晶体纳米鳍，或通过从形成于所述衬底上的非晶结构生长晶体纳米线来提供亚光刻主体。本文还提供其它方面和实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN101416288A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200780012084.9 | 申请日期 | 2007.04.03 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 伦纳德·福布斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1. 一种晶体管，其包括：纳米鳍，其具有在第一方向上的亚光刻横截面宽度以及在正交于所述第一方向上的第二方向上的对应于最小特征尺寸的横截面宽度；包围栅极绝缘体，其围绕所述纳米鳍；包围栅极，其围绕所述纳米鳍并通过所述包围栅极绝缘体与所述纳米鳍分离；以及在所述纳米鳍底端的第一导电类型的第一源极/漏极区和在所述纳米鳍顶端的第二导电类型的第二源极/漏极区，用以在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间界定垂直定向的沟道区。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||