| 发明名称 | 包括SOI晶体管及体晶体管的半导体器件以及形成该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 通过在其它方面基于SOI之CMOS电路的感测RAM区中形成类似体之晶体管(151B)，可达成有价值的芯片区之显著的节省，因为该RAM区可在体晶体管配置的基础上来形成，从而排除磁滞效应(hysteresis effect)，该磁滞效应可通常通过提供具有增加的晶体管宽度之晶体管或通过提供本体束缚(body tie)而被列入考量。因此，高开关速度(switching speed)的好处可在诸如CPU核心之速度关键电路中得以维持，而同时该RAM电路可以高度有效空间的方式形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101416300A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200780011416.1 | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | T·福伊德;M·霍斯特曼;K·维桥雷克;T·黑勒 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1. 一种方法，包括：在衬底(101)上形成的SOI区域(103S)中，形成电子电路的第一多个晶体管(151S)；以及在该衬底(101)上形成的体区域(108)中，形成该电子电路的第二多个晶体管(151B)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||