| 发明名称 | 具有适当读出计时的半导体存储器器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器器件，包括：存储器单元；信号线，其上有可响应于从所述存储器单元读取的数据的电势；电势检测电路，其响应于检测到所述信号线上的电势超过预定电势，而输出检测信号；和读出放大器，其响应于所述检测信号而放大所述信号线上的电势。根据本发明，根据铁电体的温度与电源相关性和/或制造差异来调节锁存计时，从而通过锁存住具有在不靠近供电电压位置处的足够大电势差的读出放大器输入，实现准确的数据读出。 | ||
| 申请公布号 | CN100481253C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410006056.4 | 申请日期 | 2004.02.27 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 福士功;川岛将一郎 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵淑萍 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储器器件，包括：铁电存储器单元；信号线，其上有可响应于从所述铁电存储器单元读取的数据的电势；电势检测电路，其响应于检测到所述信号线上的所述电势超过预定电势，而输出检测信号；和读出放大器，其响应于所述检测信号而放大所述信号线上的所述电势。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||