| 发明名称 | 多状态存储单元和存储数据状态及形成存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 可编程多数据状态存储单元包括由第一导电材料形成的第一电极层、由第二导电材料形成的第二电极层、以及置于该第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料。该第一层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起。该存储单元还包括由第三导电材料形成的第三电极层，以及置于该第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN101414659A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200810173894.9 | 申请日期 | 2003.02.05 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | T·L·吉尔顿 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1. 一种多状态存储单元，包括：第一电极；第二电极；可变电阻材料的第一层，设置在第一和第二电极之间，该第一层提供了用于对第一和第二电极之间的电阻编程的媒质；第三电极；以及可变电阻材料的第二层，设置在第二和第三电极之间，该可变电阻材料的第二层提供了用于对第二和第三电极之间的电阻编程的媒质。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||