| 发明名称 | 用于非易失性存储器的编程和擦除方法 | ||
| 摘要 | 对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如，字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。 | ||
| 申请公布号 | CN101414483A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200810179960.3 | 申请日期 | 2008.08.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 文承炫;崔奇焕 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/12(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李芳华 |
| 主权项 | 1、一种用于对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程的方法，包括：执行至少一个单位编程循环，每一单位编程循环包括，向字线施加至少两个编程脉冲，向字线施加至少两个时间延迟，以及向字线施加验证脉冲。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||