制造快闪存储器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造快闪存储器件的方法。根据本发明，在栅极蚀刻工艺过程期间或之前，抛光硬掩模层以减小表面起伏，其中已经通过包括所述表面起伏的金属硅化物层将该表面起伏转移至所述硬掩模层。由此，虽然在所述金属硅化物层中存在表面起伏，但是可防止在栅极上形成的SAC氮化物层在金属沉积前的介电层的后续抛光过程中损失，其中实施所述抛光过程以形成接触塞。因此可改善晶体管的驼峰现象。

主权项

1. 一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中顺序地形成隧道介电层、第一导电层、介电层、第二导电层、金属硅化物层和硬掩模层；图案化所述硬掩模层、所述金属硅化物层、所述第二导电层和所述介电层；图案化所述第一导电层，同时抛光所述硬掩模层以减小在所述硬掩模层中产生的表面起伏；在包括所述抛光的硬掩模层的栅极图案上形成自对准接触(SAC)氮化物层和金属沉积前的介电层；和实施蚀刻过程用于抛光所述金属沉积前的介电层。