| 发明名称 | 外延片的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种可以减少外延层形成的表面缺陷及滑移的发生的外延片的制造方法。该外延片的制造方法的特征在于，包括：根据晶片表面形状控制对晶片表面的蚀刻液的使用，以此平滑化所述晶片表面的平滑化工序；和通过外延生长在所述晶片表面上形成单晶硅构成的外延层的外延层形成工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101415866A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200780012151.7 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 古屋田荣;高石和成;桥井友裕;村山克彦;加藤健夫 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;李平英 |
| 主权项 | 1. 外延片的制造方法，其特征在于，包括：根据晶片表面形状控制对所述晶片表面的蚀刻液的使用，以此平滑化所述晶片表面的平滑化工序；和通过外延生长在所述晶片表面上形成单晶硅构成的外延层的外延层形成工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||