铜互连布线及其形成方法和装置

摘要

在铜互连布线层上遮盖一层或多层，以用于集成电路的互连结构，以及通过应用气体团簇离子束处理来形成用于集成电路的改进集成互连、结构的方法和装置。铜扩散减小且提高了电迁移寿命，并避免了选择性金属遮盖技术的使用以及该技术所伴随产生的问题。公开了包括用于铜遮盖、清洗、蚀刻以及膜成形步骤的气体团簇离子束处理模块的多种集簇设备配置。

主权项

1、一种在包括一个或多个铜互连表面和覆盖电介质材料的阻挡层材料的一个或多个表面的结构上形成遮盖结构的方法，所述方法包括以下步骤：将所述结构置于减压腔内；在所述减压腔内形成加速的遮盖GCIB；以及将所述加速的遮盖GCIB引导到所述一个或多个铜互连表面中的至少一个上，并将其引导到覆盖所述电介质材料的所述阻挡层材料的所述一个或多个表面中的至少一个上，从而在所述加速的遮盖GCIB被引导到其上的一个或多个铜互连表面上形成至少一个遮盖结构。