| 发明名称 | 侧壁浮栅复位EPROM存储结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种侧壁浮栅复位EPROM存储结构，包括衬底、轻掺杂源/漏区(8)、控制栅(9)、左浮栅(6)、右浮栅(10)、左浮栅绝缘侧壁(4)和右浮栅绝缘侧壁(5)，其中轻掺杂源/漏区(8)分别形成于P型衬底的左上方和右上方；控制栅(9)形成于P型衬底的上端；左浮栅(6)和右浮栅(10)分别形成于控制栅(9)的两侧；左浮栅绝缘侧壁(4)形成于左浮栅(6)的左侧；右浮栅绝缘侧壁(5)形成于右浮栅(10)的右侧。本存储结构能在晶体管尺寸减小的情况下，增加存储单元的容量。 | ||
| 申请公布号 | CN101414639A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200710047240.7 | 申请日期 | 2007.10.19 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张博;张雄;顾靖 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅 |
| 主权项 | 1、一种侧壁浮栅复位EPROM存储结构，包括衬底、轻掺杂源/漏区(8)和控制栅(9)，其中轻掺杂源/漏区(8)分别形成于P型衬底的左上方和右上方；控制栅(9)形成于P型衬底的上端；其特征在于，所述的EPROM存储结构还包括左浮栅(6)、右浮栅(10)、左浮栅绝缘侧壁(4)和右浮栅绝缘侧壁(5)，其中左浮栅(6)和右浮栅(10)分别形成于控制栅(9)的两侧；左浮栅绝缘侧壁(4)形成于左浮栅(6)的左侧；右浮栅绝缘侧壁(5)形成于右浮栅(10)的右侧。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||