| 发明名称 | 具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其各种制造方法。在一个说明性实施例中，所述装置包含：多个浮动栅极结构(124)，其形成于半导电衬底上方；隔离结构(114)，其位于所述多个浮动栅极结构(124)的每一者之间；以及控制栅极结构(128)，其包括多个扩大的末端部分(130)，所述扩大的末端部分(130)的每一者均位于邻近的浮动栅极结构(128)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101416299A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200780012164.4 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 李迪;钱德拉·穆利 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1. 一种装置，其包括：多个浮动栅极结构，其形成于半导电衬底上方；隔离结构，其位于所述多个浮动栅极结构的每一者之间；以及控制栅极结构，其包括多个扩大的末端部分，所述扩大的末端部分的每一者位于邻近的浮动栅极结构之间。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||