| 发明名称 | 自旋晶体管 | ||
| 摘要 | 一种自旋晶体管，包括第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个，所述第二方向与所述第一方向反平行。该自旋晶体管还包括沟道区，该沟道区位于第一导电层和第二导电层之间且由半导体构成，并且在第一导电层和第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于沟道区和第一导电层及第二导电层中的二者至少一个之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100481518C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200510078194.8 | 申请日期 | 2005.06.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 齐藤好昭;杉山英行 |
| 分类号 | H01L29/82(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H03K19/173(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1、一种自旋晶体管，包括：第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在所述第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个，所述第二方向与所述第一方向反平行；沟道区，该沟道区位于所述第一导电层和所述第二导电层之间且由半导体构成，并且在所述第一导电层和所述第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于所述沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于所述沟道区和所述第一导电层及所述第二导电层二者中的至少一个之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||