| 发明名称 | 具有改良金属布线的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。 | ||
| 申请公布号 | CN100481433C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200610142115.X | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 齐藤和美 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：半导体衬底；层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底上，并且具有开口；钨膜，其嵌入在所述开口中；第一阻挡金属膜，其形成在所述钨膜上，并且不包括Ti膜；第二阻挡金属膜，其形成在所述第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜；以及金属布线膜，其形成在所述第二阻挡金属膜上，其中所述第二阻挡金属膜包括下述层叠膜，在该层叠膜中依次形成有钛膜和氮化钛膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||