发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体结构及其制造方法,包括:一基板,一核心电路以及一静态随机存取存储器晶胞;其中上述静态随机存取存储器晶胞包括一提升电位P型金属氧化物半导体晶体管,包括:一第一源/漏极区,位于上述基板中;一第一锗化硅应激物,位于上述基板中,部分重叠于至少一部分的上述第一源/漏极区;以及一第一电流调整区,部分重叠于至少一部分的上述第一源/漏极区;以及其中上述核心电路包括一核心P型金属氧化物半导体晶体管,其包括:一第二源/漏极区,位于上述基板中;一第二锗化硅应激物,位于上述基板中,部分重叠于至少一部分的上述第二源/漏极区;以及其中上述核心P型金属氧化物半导体晶体管无电流调整区。 |
申请公布号 |
CN100481462C |
申请公布日期 |
2009.04.22 |
申请号 |
CN200610140647.X |
申请日期 |
2006.09.29 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
王盈斌;卡罗斯 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1. 一种半导体结构,其特征在于,该半导体结构包括:一基板,包括一核心电路区以及一静态随机存取存储器区;一第一P型金属氧化物半导体晶体管,位于该静态随机存取存储器区中,其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管包括:一第一栅极介电层,覆盖于该基板上;一第一栅极,位于该第一栅极介电层上;一第一间隙壁,位于该第一栅极的侧壁;一第一浅掺杂源/漏极区,对准于该第一栅极的一边缘;一第一锗化硅应激物,位于该基板中,且与该第一栅极的该边缘相邻;一第一深源/漏极区,位于该基板中,且与该第一栅极的该边缘隔开;以及一电流调整区,部分重叠于该第一锗化硅应激物;以及一第二P型金属氧化物半导体晶体管,位于该核心电路区,其中该第二P型金属氧化物半导体晶体管包括:一第二栅极介电层,覆盖于该基板上;一第二栅极,位于该第二栅极介电层上;一第二间隙壁,位于该第二栅极的侧壁;一第二浅掺杂源/漏极区,对准于该第二栅极的一边缘;一第二锗化硅应激物,位于该基板中,且与该第二栅极的该边缘相邻;一第二深源/漏极区,位于该基板中,且与该第二栅极的该边缘隔开;以及其中该第二P型金属氧化物半导体晶体管无电流调整区。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |