| 发明名称 | 检查方法、解析片的制作方法、解析方法以及解析装置 | ||
| 摘要 | 一种检查方法，用于测定在受检体(2)上形成的具有绝缘性的基材(11)内部存在的导电体来检查受检体(2)的内部状态，首先用离子或者电子照射基材(11)的检查部分的表面，通过从表面(11a)以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影的同时，蚀刻所述检查部分，并通过从仅在蚀刻的深度下部顺序更新的表面(11b)以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影，根据积累的表面图像，测定基材(11)内部存在的导电体来检查受检体(2)的内部状态，提供一种能够正确测定SOI晶片(受检体)内的嵌入硅氧化膜(基材)的内部存在的缺陷(导电体)的检查方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100481360C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200380109405.9 | 申请日期 | 2003.10.16 |
| 申请人 | 三菱住友硅晶株式会社 | 发明人 | 大久保晶;近藤英之 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G01N23/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种检查方法，测定SOI晶片上形成的具有绝缘性的硅氧化膜基材内部存在的硅岛，来检查SOI晶片的内部状态，其特征在于，用离子或者电子照射所述硅氧化膜的检查部分的表面，并通过从所述表面以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影的同时，蚀刻所述检查部分，通过从仅在蚀刻的深度上顺序更新的下部的表面以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影，根据积累的所述表面图像，测定所述硅氧化膜内部存在的所述硅岛，来检查所述SOI晶片的内部状态，所述表面的蚀刻由加速电压在15～40keV、电流值在3.6pA以上、直径在18nm以上的离子束来进行，该蚀刻和所述表面图像的摄影是同时进行的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||