| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件具有：p-型半导体衬底；在p-型半导体衬底中形成的低浓度n-型半导体区；在低浓度n-型半导体区内形成的第一高浓度p-型半导体区，它与第一电极连接；在低浓度n-型半导体区中形成的第一高浓度n-型半导体区，它通过电阻元件与第一电极连接；与第一高浓度n-型半导体区邻接形成的低浓度p-型半导体区；在p-型半导体衬底中形成的第二高浓度n-型半导体区和第二高浓度p-型半导体区，它们与第二电极连接；以及元件分离部分，它形成于低浓度p-型半导体区和第二高浓度n-型半导体区之间。这使得能够以高精度控制静电保护电路的开关特性，从而能够与所要受到保护的栅极氧化物薄膜的薄厚程度相适应。 | ||
| 申请公布号 | CN100481454C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410028364.7 | 申请日期 | 2004.03.09 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 小岛敏明 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：p-型半导体衬底；在p-型半导体衬底中形成的低浓度n-型半导体区；第一电极；在所述低浓度n-型半导体区内形成的第一高浓度p-型半导体区，它与第一电极连接；电阻元件；在所述低浓度n-型半导体区中形成的第一高浓度n-型半导体区，它通过电阻元件与第一电极连接；与所述第一高浓度n-型半导体区邻接形成的低浓度p-型半导体区；第二电极；在所述p-型半导体衬底中形成的第二高浓度n-型半导体区，它与第二电极连接；在所述p-型半导体衬底中形成的第二高浓度p-型半导体区，它与第二电极连接；以及元件分离部分，它形成于所述低浓度p-型半导体区和第二高浓度n-型半导体区之间；并且使所述低浓度p-型半导体区形成为桥接在p-型半导体衬底与低浓度n-型半导体区之间；在p-型半导体衬底外面形成所述电阻元件。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||