用于半导体器件的抗反射涂层及其制造方法

摘要

一种在半导体器件的制造中使用的抗反射涂层(ARC)(201)。ARC层具有一个底部部分，该底部部分具有比位于其上的ARC层部分更低的硅百分比。在金属层(107)上形成ARC层，其中ARC层的更低硅百分比阻止了在金属层/ARC层界面处形成不希望的硅化物。在一些实施例中，ARC层的顶部部分具有比ARC层的中间部分更低的硅百分比，其中在顶部部分处更低的硅百分比阻止了在ARC层上破坏光刻胶层。在一个实施例中，在淀积工艺期间，通过降低或增加含氮气体流速相对于含硅气体流速的比值，能够增加或降低硅的百分比。

主权项

1. 一种半导体器件，其包括：半导体衬底；在所述衬底之上的金属层，其中所述金属层包括金属；以及在所述金属层之上的抗反射涂层，具有与所述金属层相邻的底部部分和中间部分，其中所述中间部分具有比所述底部部分更高的硅百分比。