| 发明名称 | 第3～5族化合物半导体和发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种第3～5族化合物半导体，按顺序包括两个晶格失配层的一个界面，薄膜厚度为25纳米或者更厚的一个中间层，以及一个量子阱层。这种化合物半导体具有很高的结晶度和很高的质量，适合用于发光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN100481529C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN02122445.5 | 申请日期 | 2002.06.05 |
| 申请人 | 住友化学工业株式会社 | 发明人 | 家近泰;土田良彦;小野善伸;清水诚也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;陈 霁 |
| 主权项 | 1. 一种第3～5族氮基化合物半导体，按顺序至少包括两个晶格失配层的一个界面、薄膜厚度为25纳米或者更大的一个中间层以及一个单量子阱结构，其中所述中间层是GaN。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||