掩埋磁隧道结存储器单元和方法

摘要

在衬底(50)上制作的磁存储器单元(20)具有第一金属导体(40)、布置在第一金属导体上的第一磁层(80)、具有穿过其延伸至第一磁层(80)的通道开口(65)的平面层间电介质(ILD)35、在位于通道开口内的第一磁层上面的掩埋隧道结(75)、填充该通道开口并掩埋隧道结的第二磁层(60)，耦合至第二磁层的第二金属导体。公开了在存储器(10)和其它器件中使用的存储器单元的方法以及具体适用于制作存储器单元的方法。

主权项

1. 一种制作存储器单元的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供衬底；b)淀积第一金属层，构图并腐蚀第一金属导体；c)淀积、构图并腐蚀第一铁磁层；d)淀积层间电介质ILD；e)以至少部分与第一金属导体对准的方式腐蚀通道开口穿过层间电介质，暴露第一铁磁层的一部分；f)在第一铁磁层的至少是暴露部分上面形成薄隧道结氧化层；g)淀积第二铁磁层，至少填充通道开口；h)把通过执行前述步骤所获得的表面平坦化至层间电介质的表面；和i)淀积第二金属层，并以至少部分与用第二铁磁层填充的通道开口对准的方式构图和腐蚀第二金属导体。