多种气体直通道喷头

摘要

本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。

主权项

1. 一种喷头装置，包括：用于第一前驱物气体的多个直的且平行的气流通道；以及用于第二前驱物气体的多个直的且平行的气流通道，其中用于所述第一前驱物气体的所述气流通道平行于用于所述第二前驱物气体的所述气流通道。