| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一绝缘层、一沟道结构、一绝缘结构及一栅极。沟道结构包括一沟道桥，沟道桥的底部与绝缘层相隔一间距，且沟道桥包括多个分离的掺杂区。绝缘结构包覆沟道桥，栅极包覆绝缘结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101414631A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200810133633.4 | 申请日期 | 2008.07.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;吕函庭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，该装置包括：一绝缘层；一沟道结构，包括一沟道桥连接两平台，该沟道桥的底部与该绝缘层相隔一间距，且该沟道桥包括多个分离的掺杂区；一绝缘结构，包覆该沟道桥；以及一栅极，包覆该绝缘结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||