| 发明名称 | 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率均匀升高；(4)制作掩膜，即将掩膜的非波导区域镂空；(5)掩膜将欲形成波导区域遮挡，用紫外激光对基片进行第二次曝光，使掩膜未遮挡区域的波导层折射率较未曝光时还低；(6)退火，稳定折射率变化，则形成了高折射率差的二氧化硅波导。 | ||
| 申请公布号 | CN100480752C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200410073862.3 | 申请日期 | 2004.09.06 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 夏君磊;吴远大;安俊明;郜定山;李健;龚春娟;胡雄伟 |
| 分类号 | G02B6/02(2006.01)I;G02B6/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种通过紫外写入法制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率均匀升高；(4)制作掩膜，即将掩膜的非波导区域镂空；(5)掩膜将欲形成波导区域遮挡，用紫外激光对基片进行第二次曝光，使掩膜未遮挡区域的波导层折射率较未曝光时还低；(6)退火，稳定折射率变化，则形成了高折射率差的二氧化硅波导。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||