| 发明名称 | 使用直流电偏压加工低介电常数膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种在基材上沉积低介电常数膜层的方法。该方法包含在化学气相沉积室中沉积一层包含硅、碳、氧及氢的低介电常数膜层到基材上；引入包含含氢气体在内的气体混合物到化学气相沉积室中；以无线电波频率电力在邻近低介电常数膜层处形成气体混合物的等离子体；施加一直流电偏压到基材或气体分配板中的至少一个上以将低介电常数膜层硬化。 | ||
| 申请公布号 | CN100480422C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200480000584.7 | 申请日期 | 2004.01.09 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 李丽华;黄楚方;夏李群;胡安·卡洛斯·罗查-阿尔瓦雷斯;赵貌生 |
| 分类号 | C23C16/56(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁 挥;徐金国 |
| 主权项 | 1. 一种在基材上沉积低介电常数膜层的方法，其至少包含：在位于化学气相沉积室中的基板上沉积一包含硅、碳、氧及氢的低介电常数膜层；引入气体混合物至化学气相沉积室中，其中气体混合物至少包含含氢的气体；以射频电力于邻近低介电常数膜层处形成气体混合物的等离子体；及施加一直流电偏压至基材或气体分配板中的至少一个，以硬化低介电常数膜层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||