具有绝缘沟槽栅电极的横向场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种场效应晶体管，其包括单元(18)，各个该单元包括纵向排列的源区(22)、源本体区(26)、漂移区(20)、漏本体区(28)和漏区(24)，该结构横向交替排列以降低表面场。在实施例中，该结构可包括纵向分隔并用于定义毗邻源区或漏区(22、24)的栅极区(31)的绝缘栅极沟槽(35)，并包含毗邻漂移区(20)且纵向延伸的电势板区(33)。或者，可提供分离的电势板区(33)或纵向延伸的半绝缘的场电极(50)，使其毗邻漂移区(20)。该晶体管适用于双向开关。

主权项

1. 一种具有第一主表面的半导体器件，包括：至少一个单元(18)，其具有第一主表面(16)处纵向分隔的源区(22)和漏区(24)，面向漏区(24)的源区(22)的端部处的源本体区(26)，面向源区(22)的漏区(24)的端部处的漏本体区(28)，以及从源本体区(26)延伸到漏本体区(28)的漂移区(20)；至少一对纵向分隔的绝缘栅(31)，该对中的一个毗邻源本体区(26)且该对中的另一个毗邻漏本体区(28)，所述栅与纵向侧壁一同纵向延伸，所述绝缘栅形成在沟槽中，所述沟槽具有沿该沟槽的侧壁、端壁和底部的栅电介质(32)以及该栅电介质内的栅导体；以及板(33)，其毗邻漂移区(20)用于控制该漂移区(20)，使其当该器件导通时承载在源(22)和漏(24)之间流动的电流，且当该器件关断时支持源(22)和漏(24)之间的电压。