盐化物处理过程以及制造半导体器件的方法

摘要

形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。

主权项

1. 一种形成硅化镍层的方法，包括：在加热设备中的上热板和下热板之间定位晶片，其中所述晶片包括：衬底上的掺杂硅层；所述掺杂硅层上的镍层；以及所述镍层上的氮化钛层；并且其中所述加热设备在其中包含传热气体；在200℃至400℃的温度范围内执行第一对流加热步骤以加热所述晶片，其中在所述第一加热步骤期间，所述镍层的第一部分被转换为第一硅化镍层而保留所述镍层的第二部分；从所述加热设备卸载所述晶片；去除所述氮化钛层和所述镍层的所述第二部分；在所述加热设备中的所述上热板和所述下热板之间定位所述晶片；在300℃至600℃的温度范围内执行第二加热步骤以加热所述晶片，其中在所述第二加热步骤期间，所述第一硅化镍层被转换为第二硅化镍层；以及从所述加热设备卸载所述晶片。