光生伏打装置

摘要

本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层。利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。

主权项

1、一种光生伏打装置，其特征在于，具有：晶体半导体基板；设置在该晶体半导体基板上的含有氢的本征非晶体半导体薄膜层；设置在该本征非晶体半导体薄膜层上的含有氢的通过掺杂价电子控制用的杂质进行了价电子控制的非晶体半导体薄膜层；和设置在所述进行了价电子控制的非晶体半导体薄膜层和所述本征非晶体半导体薄膜层之间，抑制氢从所述本征非晶体半导体薄膜层向所述进行了价电子控制的非晶体半导体薄膜层扩散的氢扩散抑制区域。